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本研究課題は、シリコン添加量によって光学ギャップを選択可能なSi添加a-C半導体をナノ粒子化し、形状と光学ギャップを制御するためのプラズマ合成法の構築を図ることを目的とした。プラズマ合成時に、プラズマ中に細孔を有するアルミニウム板を挿入して細孔内部にパワーの高い領域をつくると、ナノ粒子が得られる。アルミニウム細孔板のプラズマ中の位置・チャンバー圧力・アルミニウム細孔板の厚さの３つの合成条件のコントロールにより、ナノ粒子の直径を212～15nmの範囲で制御することを可能とした。また、ナノ粒子の合成時のプラズマ出力のコントロールにより、光学ギャップを2.1～2.7eVに制御することを可能とした。
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