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イオンを用た次世代の三次元創成技術の開発を目指した．アーク放電により高密度のプラズマを生成し，イオンのみを抽出し，さらに静電レンズを用いてイオンビームを収束できる堆積装置を開発して，Si基板上に炭素の堆積を試みた．有限差分法により静電レンズ付近の電場を算出し，荷電粒子の軌跡を予測した．そのシミュレーション結果を基に静電レンズを設計・製作して堆積装置内に設置し，イオンビーム(面積1100mm2)の収束実験を行った．その結果コイル電流0.1 Aの時，イオンビームを166 mm2まで収束させて硬質炭素膜を堆積させることに成功し，高密度イオンを用いた三次元創成が可能であることを示唆した．
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