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2016 年度 研究成果報告書

酸化ガリウムヘテロ接合とデバイス応用に関する研究

研究課題

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研究課題/領域番号 26709020
研究種目

若手研究(A)

配分区分一部基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関佐賀大学 (2016)
東京工業大学 (2014-2015)

研究代表者

大島 孝仁  佐賀大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (60583151)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード酸化ガリウム / ヘテロ接合 / 変調ドープ
研究成果の概要

Ga2O3系ヘテロ接合デバイスを目指して,代表的なエピタキシャル法であるPLDとMBEを用いて作製した(Al,Ga)2O3膜の検討,ヘテロ接合界面のバンドアライメント評価,ならびに変調ドーピング構造作製評価を行った.その結果,MBEにより表面平坦な膜が得られること,ヘテロ接合がType Iであり,伝導帯価電子帯バンドオフセット比がおおよそ2:1であることが分かった.さらに,変調ドープによりヘテロ接合界面にキャリアの閉込を観察した.これらの知見は,Ga2O3ヘテロ接合デバイスの実現を強く示唆するものであった.

自由記述の分野

半導体工学

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公開日: 2018-03-22  

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