Ga2O3系ヘテロ接合デバイスを目指して,代表的なエピタキシャル法であるPLDとMBEを用いて作製した(Al,Ga)2O3膜の検討,ヘテロ接合界面のバンドアライメント評価,ならびに変調ドーピング構造作製評価を行った.その結果,MBEにより表面平坦な膜が得られること,ヘテロ接合がType Iであり,伝導帯価電子帯バンドオフセット比がおおよそ2:1であることが分かった.さらに,変調ドープによりヘテロ接合界面にキャリアの閉込を観察した.これらの知見は,Ga2O3ヘテロ接合デバイスの実現を強く示唆するものであった.
|