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本研究を通じて、III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上に能動・受動素子を自在に集積するためのプロセス技術を確立することに成功した。これによりキャリア注入型光変調器等をIII-V-OI基板上で実証することに成功した。またInGaAs MOSトランジスタの一体集積にも世界で初めて成功するなど、光電子集積回路の基盤技術を確立した。また自由キャリア効果を使った光変調器の研究過程で、ハイブリッドMOS型光変調器構造を考案し、世界最高レベルの光位相変調効率を実現するに至った。III-V on SiCプラットフォームの考案にも繋がるなど、当初の想定以上の成果が得られた。
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