研究課題
若手研究(A)
近年、半導体中の電子スピン自由度をすることで円偏光出力を可能とするレーザ“スピンレーザ”が注目されている。我々は当該デバイスの実現へ向けて基幹構造である活性層の特性向上に取り組んできた。分子線エピタキシー法による系統的な結晶成長実験を通して、(110)面GaAs量子井戸を利用すれば発光特性・スピン特性が大幅に向上することを実証した。本成果により(110)面GaAs量子井戸を利用した高性能なスピンレーザの実現が期待される。
スピントロニクス