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2016 年度 実績報告書

電界による磁気光学効果制御技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 26709046
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

野崎 隆行  国立研究開発法人産業技術総合研究所, スピントロニクス研究センター, 研究チーム長 (60452405)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワードスピントロニクス / 磁性薄膜 / 磁気光学効果 / 電界制御
研究実績の概要

本研究課題では、電界駆動型磁気光学デバイス創製に向けて、3d遷移金属超薄膜磁性層における磁気光学効果特性を電界で変調する基盤技術の確立を目的としている。この効果は数原子層オーダーの超薄膜磁性層に対して誘電層を介して電界を印加することで、界面近傍の磁気特性をスピン-軌道相互作用を介して操作する現象に基づいており、誘電層材料の選定、および強磁性層材料の界面制御が重要な技術課題となる。
平成28年度は昨年度に続き、電界磁気光学効果制御に有効なhigh-k誘電層材料の候補としてSrHfO3に着目した作製プロセスの最適化を試みた。パルスレーザー蒸着法を用いた基板加熱条件下でのエピタキシャル成長により、比誘電率約20を維持したまま膜厚2nmまでの薄膜化に成功した。これは従来材料である酸化マグネシウムの約2倍に相当し、電界効果効率の向上に有効である。また、誘電層の薄膜化は駆動電圧の低電圧化にも有効であり、本結果により数Vオーダーでの制御が可能となると期待される。
また、従来の基本構造であるFe/MgO接合界面のスピン軌道相互作用を増大させる材料探索として界面元素ドーピングによる特性改善に関しても取り組んだ。その結果、heavy metal元素の低濃度ドーピングによりカー回転角が大きく増大することを見出した。これはFeからの近接効果によりheavy metalに誘起されたスピンモーメントに起因する現象であると推察される。この界面制御技術を用いることで、電界に対する磁気光学特性変調の応答性を改善することができると期待される。

現在までの達成度 (段落)

28年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

28年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額が生じた理由

28年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額の使用計画

28年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2017 2016

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (4件) (うち国際学会 2件、 招待講演 1件)

  • [雑誌論文] Large Voltage-Induced Changes in the Perpendicular Magnetic Anisotropy of an MgO-Based Tunnel Junction with an Ultrathin Fe Layer2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nozaki, A. Koziol-Rachwal, W. Skowronski, V. Zayets, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, Y. Suzuki
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Appl.

      巻: 5 ページ: 044006-1~10

    • DOI

      https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.5.044006

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] The effect of the MgO buffer layer thickness on magnetic anisotropy in MgO/Fe/Cr/MgO buffer/MgO(001)2016

    • 著者名/発表者名
      A. Koziol-Rachwal, T. Nozaki, V. Zayets, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, Y. Suzuki
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 120 ページ: 085303-1~7

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4961203

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Influence of Cr doping on voltage-controlled magnetic anisotropy effect at an ultrathin Fe/MgO interface2017

    • 著者名/発表者名
      T. Nozaki, A. Koziol-Rachwal, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, Y. Suzuki, S. Yuasa
    • 学会等名
      日本応用物理学会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜、横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] Towards the realization of voltage-torque MRAM ~Prospects and future challenges~2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nozaki, Y. Shiota, A. Koziol-Rachwal, W. Skowronski, V. Zayets, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, Y. Suzuki, S. Yuasa
    • 学会等名
      IEDM2016
    • 発表場所
      サンフランシスコ、カリフォルニア州、USA
    • 年月日
      2016-12-05 – 2016-12-07
    • 国際学会
  • [学会発表] Large voltage-controlled magnetic anisotropy change in epitaxial Cr/ultrathin Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nozaki, A. Koziol-Rachwal, W. Skowronski, V. Zayets, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, Y. Suzuki, S. Yuasa
    • 学会等名
      日本磁気学会
    • 発表場所
      金沢大学、金沢市
    • 年月日
      2016-09-05 – 2016-09-08
    • 招待講演
  • [学会発表] Voltage-controlled magnetic anisotropy in an ultrathin Fe layer sandwiched between Cr and MgO layers2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nozaki, A. Koziol-Rachwal, W. Skowronski, V. Zayets, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, Y. Suzuki, S. Yuasa
    • 学会等名
      ICAUMS2016
    • 発表場所
      成功大学、台南、台湾
    • 年月日
      2016-08-01 – 2016-08-05
    • 国際学会

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公開日: 2018-01-16  

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