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高効率の可能性が期待されている中間バンド型太陽電池（IBSC）を対象に、窒素ドープGaAs量子井戸について材料およびデバイスの観点から研究を進めた。光学計測から窒素組成と局在準位との相関を明らかにするとともに、キャパシタンス分光によってこの窒素由来のエネルギー準位の評価を行った。結晶成長では窒素組成を制御し理論モデルに近いエネルギー配置のGaNAs/AlGaAs量子井戸の作製を行うとともに、窒素とアンチモンの同時ドーピング法による光学特性の改善を実現した。窒素量を増やすと実効バンドギャップは縮小するが素子の開放電圧は増大する興味深い知見を得た。この結果はIBSCの研究を進める大きな成果である。
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