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Ge/Siコアシェルナノワイアにおけるスピン軌道相互作用について調べ、電界である程度制御可能であり、電界制御型スピントロニクスデバイスやマヨラナ粒子を実現するために十分大きいことが分かった。また、大きな臨界磁場を有する超伝導金属を使って接触抵抗の小さな電極を形成する技術を確立した。マヨラナ粒子の検出に向け、交流ジョセフソン効果を測定するシステムを構築した。よくわかっているトポロジカル絶縁体であるHgTeを使った初期的な実験で、マヨラナモードに起因する４π周期の電流位相特性を示唆する超伝導電流を観測した。
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