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その場放射光X線回折により、Au触媒InGaAsナノワイヤ（NW）成長におけるIn/Ga供給比の影響を検討した。その結果、In/Ga供給比が大きいほど、NWが下地の二次元層に埋没してしまうことがわかった。この問題を克服するため、成長温度を低くすることで、NWの成長を促進させ、二次元層への埋没を抑制することに成功した。InGaAs-NWのIn組成を調べたところ、In/Gaの供給比よりもIn組成は低くなることがわかった。この原因として、InはGaよりも結晶に取り込まれにくく、Au触媒中に残留しやすい可能性が示唆された。
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