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GaMnAsは半導体GaAsに少量の磁性元素Mnが添加され、半導体と磁性体の性質を併せ持つ物質である。GaMnAsが強磁性となるメカニズムは必ずしも解明されていない。我々は、原子分解能を持つSTMとそれを応用した弾道電子顕微鏡とスピンSTMを用いて、強磁性発現の起源と関係するスピン偏極電子構造の測定を目的とした。弾道電子顕微鏡実験用の試料作成には困難があったが、スピンSTMの一連の実験は実施できた。磁化反転前後の電子状態を磁性探針で測定することで、スピン偏極した電子状態を示唆する初期的なデータの取得に成功した。実験的な改良点も見出すことができ、今後より明瞭な実験から解明を目指せると期待される。
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