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発熱を最小限として高効率なスピン偏極電流が生成可能な試料構造により、超伝導体／非磁性常伝導体二層膜中において、交差アンドレーエフ反射と呼ばれる現象を誘起・制御することを試みた。その結果、超伝導体／非磁性常伝導体界面（S/N界面）において、スピン偏極電流の偏極成分のみ透過できないことがわかった。また、非磁性常伝導体層中において、超伝導状態とスピン偏極状態が共存できることが示された。さらに、スピン偏極電流を用いることで、S/N界面で超伝導ギャップの形成過程の観測に成功した。これらは、交差アンドレーエフ反射測定に代表される超伝導体複合ナノ構造での測定において新しい検出方法を提案可能とするものである。
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