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本研究では、SiC熱分解法によるグラフェン成長の成長過程における表面・界面構造を調べるための、放射光表面X線回折を利用したその場観察法を確立した。初めに、SiC及びグラフェンのbragg反射とbuffer層由来の超格子反射のピーク位置を観測し、幾何学的な位置関係にあることを確認した。その場観察用に設計した超高温小型加熱炉と多軸回折計及び二次元検出器PILATUSを組み合わせ、buffer層由来の超格子反射の昇温過程におけるその場観察を行った。その結果得られた温度変化は、現在支持されている成長モデルで説明できると考えられる。この結果から、確立した手法の実用性を実証することができた。
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