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高エネルギー光の照射による１光子吸収により多数の電荷キャリアが半導体中に生成される多キャリア生成過程は、太陽電池などの光電変換機能の高性能化に寄与すると期待される。半導体量子ドットにおいては、多キャリア生成が高効率に現れると指摘されていたが、そのメカニズムは十分に理解されていない。本研究では、多キャリア生成のメカニズム解明のために、可視光によっても高エネルギー光照射できる低バンドギャップエネルギーのゲルマニウム量子ドットに着目した。多キャリア生成過程の検出には、外因的効果による過大評価を避けるために、発光強度および光電流測定による絶対キャリア数評価の開発を行った。
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