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任意の磁性不純物模型を調べるための密度行列繰り込み群法（Impurity-DMRG）を開発し、これをグラフェン等における磁性不純物問題の研究に応用した。とくに、グラフェン上の吸着型磁性不純物、置換型磁性不純物、および格子欠陥の有効模型をそれぞれ調べ、置換型と格子欠陥では常に不純物上のスピンが遮蔽されるが、吸着型では遮蔽されない場合があることを明らかにした。さらに、我々は吸着型不純物の場合の基底状態相図を調べ、この系で起こる不純物量子相転移と基底状態のエンタングルメント・スペクトルとの関係を明らかにした。
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