| 研究実績の概要 |
本年度は以下のような進展が見られた。
(1) 異方的な超伝導ギャップを有する候補物質であるR5Co6Sn18(R = Sc, Lu)の単結晶を育成し、各種物性測定を行った。その結果、Sc5Co6Sn18は0.3 Kまでの測定では超伝導転移は観測できなかった。また、Lu5Co6Sn18では比熱測定において、比熱の二段転移を観測した。
(2) NbPtSiがTc = 0.7 Kの新しい超伝導であることを明らかにした。また、各種物性測定を行った結果、第二種超伝導体であることを明らかにした。さらに比熱測定から二段転移を観測し、複数の超伝導相が存在する可能性を示唆する結果がえられた。
(3) これまでの研究によって開発に成功した精密比熱装置を用いて、LaO0.5F0.BiSSeの比熱測定に初めて成功した。その結果、電気抵抗率で確認した超伝導転移温度において明確な比熱の飛びを確認した。さらに電子比熱の温度・磁場依存性から等方的な超伝導ギャップを示唆する結果が得られた。さらにSeの置換量を変えた結晶の比熱測定にも成功し、Se置換量が増えるにつれてバルクの超伝導に変化することが分かった。また転移温度が上昇するにつれて(Seの量が増えるにつれて)電子比熱の飛びが大きくなることを確認した。
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