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ピン止め効果の弱いMoGe微小板を作製して、イオンミリング装置で微小な円状のディップを作ることでピン止め導入に成功した。パックマン型超伝導微小板への磁束充填規則の解明では、新奇なアーク型磁束構造が現れることを明らかにし、円盤への充填規則（シェルモデル）と比較した。また、実験的にもSQUID顕微鏡を使った磁束構造の解明を行い、アーク型充填モデルに関して実験と理論を比較して、良い一致を得た。また、申請書で提案した電子ビームの集中的照射でピン止め中心を作る手法よりも、また、本研究で開発したSQUID素子を用いて、SQUID顕微鏡を構成して、鮮明な磁束像の観測にも成功した。
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