| 研究課題/領域番号 |
26810130
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
永井 裕己 工学院大学, 公私立大学の部局等, 助教 (20559942)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | TFT / 分子プレカーサー / 酸化銅 / 基板 |
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| 研究実績の概要 |
昨年度は，分子プレカーサー法によるCu2O薄膜の形成を達成した。本年度は，この分子プレカーサー法で形成したp型Cu2Oをチャネル層に用いたTFTの作製と，このTFTのデバイス特性を調べることを目的とした。調製したプレカーサー溶液をSi/SiO2基板上に，マイクロピペッターを用いて50 µL滴下し，スピンコート法で塗布した。これを，乾燥機に入れ，10分間プレヒートした後，青色透明のプレカーサー膜を得た。このプレカーサー膜をAr気流中で熱処理して，酸化銅薄膜を形成した。しかし，この酸化銅は，II価または銅金属を含む膜だった。無アルカリガラス基板上では，再現性高いCu2O単一相薄膜形成が可能であったが，Si/SiO2基板上では，Cu2O単一相薄膜形成は，困難だった。したがって，分子プレカーサー法によるCu2Oの形成は，使用する基板に依存して，形成条件が変化することがわかった。一方で，CuOを含むCu2OのTFT特性を調べた。それは，VGの出力電圧によってVDSとIDSの依存関係が変化した。しかし，飽和状態は示さなかった。まだ，飽和状態が観察できなかった原因は判明していないが，一つの原因は，Cu2Oの中に不純物としてCuO結晶が含有していたためと考えられる。
Cu2O単一相を形成するために，Si/SiO2基板の表面状態の影響を考え，基板の洗浄方法を変更した。しかし，この条件でもSi/SiO2基板上にCu2Oが再現良く形成できなかった。現在は，下地層にMgOなどの絶縁膜を一層形成し，Cu2O単一相の薄膜形成を試みている。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
ガラス基板上では，容易に形成したCu2O単一相が，基板の違いで形成困難であったことから，計画からやや遅れている。
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| 今後の研究の推進方策 |
分子プレカーサー法でのCu2O薄膜形成は，下地層の影響があることがわかった。したがって，MgOやZrO2など絶縁体を1層目に形成し，その膜上にCu2O薄膜形成を試みる。また，基板も導電性ガラスなどを用いてその上に同様に絶縁膜を形成するなど条件を変えてTFTの形成を試みる。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
本年度は，論文投稿が遅れ，そのために使用する予定の校閲費や投稿費用が使用できなかたことから差額が生じた。
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| 次年度使用額の使用計画 |
今年度は，最終年度であることからも，論文校閲費や投稿費用に使用する予定である。
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