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酸化銅プレカーサー溶液を用いて，ケイ素/二酸化ケイ素基板上に薄膜形成し，その薄膜のトランジスタ特性を調べた。調製した溶液を基板に滴下し，スピンコート法で塗布，乾燥後にAr気流中で熱処理して，酸化銅薄膜を形成した。昇温速度，熱処理時間などの熱処理条件を種々検討し，約30 nmの膜厚の酸化銅薄膜を形成した。トランジスタ特性を半導体パラメータアナライザで調べた。形成した膜は，ゲートバイアスが-10 Vのときに高いオン/オフ電流比（ON/OFF比）がとれ，トランジスタとして動作した。このように，化学的湿式法でp型TFTの形成を達成した。実用化に向けては，さらに高いオン/オフ電流比が必要である。
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