• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2015 年度 研究成果報告書

サブミクロン領域における近接場熱ふく射現象の解明と放射率可変デバイスへの応用

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 26820058
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 熱工学
研究機関東京大学

研究代表者

上野 藍  東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 (50647211)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード熱ふく射 / 近接場 / ナノギャップ / MEMSラジエータ
研究成果の概要

近年,人工衛星のミッションの多様化に伴い,宇宙空間における急激な温度変化に柔軟に対応可能なラジエータが望まれている.
本研究では,間隔をサブミクロン以下に近づけたときに発現する近接場効果を利用可能なデバイス設計,試作方法の検討および試作デバイスの性能評価を行った.設計では,隣接するダイアフラム間でばねを共有することで従来のMEMSラジエータよりも開口率(放射面積/全面積)を89%まで向上させた.さらに,加熱実験では,ON/OFF状態でのダイアフラムの温度変化は近接場効果により58.0℃から 106.4℃まで変化し,熱流束変化に換算するとON状態では144%増加することを明らかにした.

自由記述の分野

熱工学

URL: 

公開日: 2017-05-10  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi