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HEXDPFの研究において、PM捕集初期の圧力上昇からケーキ層の圧力上昇への遷移過程を数値計算にて表現し、バイパス流によりHEX全面にススが堆積できることを確認した。つまりSQ-DPFよりも広い有効面積でススの堆積が可能であることを示唆した。再生過程においても、このバイパス流により作動ガスのスス堆積への供給が制御される事を確認した。
スス酸化反応過程について評価は以下の結果を得た。CB酸化反応の総括的活性化エネルギーの低減効果は, SiC酸化物層表面に吸着された酸素によると考えられる事が可能。 CB酸化の総括的活性化エネルギーはPtの担持や酸素濃度に関わらず，ほぼ一定の値となる事が分かった。
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