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タウンゼント放電の絶縁破壊特性（パッシェン曲線）は、陰極材料の二次電子放出係数（γ）の評価に用いられる。陰極へのイオン流入流束に対する二次電子放出流束を与える従来の評価方法では、電子の後方散乱や光電効果等がγに含まれ、外部電界に依存する。本研究では、ArおよびNeを対象として、モンテカルロ法を用いた電子衝突回数の計数および簡単な一次元解析モデルを組み合わせ、イオン・光子の陰極への流入流束を評価し、各粒子種に対応する電界に依存しない二次電子放出係数の評価を試みた。求めたγより得られたパッシェン曲線は、文献値をよく再現することが分かった。
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