| 研究課題/領域番号 |
26820109
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
日向 慎太朗 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 (20633960)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | Co基合金薄膜 / 積層欠陥 / 原子層組成変調構造 / グラニュラ構造 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では，熱アシスト型磁気記録方式に対応する媒体のため，高Kuかつ低Tcを実現するCoPt合金薄膜の作製を目指す．まずCoPt合金について，薄膜中に形成される積層欠陥の低減 (平成26年度: CoPt基合金薄膜の六方原子積層化) および原子層組成変調構造の実現 (平成27年度： CoPtRh合金薄膜の原子層間組成分離構造の実現) による高Ku化を図る．また，探索した合金材料および作製プロセスを実際の磁性結晶粒-酸化物グラニュラ薄膜へ適用する (平成28年度: 高Ku CoPtRh合金薄膜のグラニュラ化)．26年度においては，Co合金の積層欠陥がほぼ合金の平均価電子数，および基板温度の時間変化により支配的に定まることを明らかとした．その結果，例としてCoPt系を想定した場合，Pt添加物濃度約40at%以内の平均価電子数が9前後となる組成域において，基板温度を約300℃一定に保ちながら成膜することで積層欠陥を約1%以下にまで低減できることを明らかとした．また，予定を前倒しして原子層組成変調構造についても評価を行った．高角散乱環状暗視野走査型透過電子顕微鏡 (HAADF-STEM) により原子層積層の組成コントラスト像の直接観察を行ったところ，組成変調が乱れた箇所では積層欠陥が生じることが認められ，このことから原子層の組成変調度合い (例: CoPtではPt rich層とPt poor層との分離度合い) と積層欠陥の導入度合いの間には正の相関が存在することが考えられる．そのため原子層組成変調構造の実現には積層欠陥の低減が必須となることが明らかとなった．
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
次年度の検討事項である原子層組成変調構造の形成要因について，初年度中に着手出来たため．
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| 今後の研究の推進方策 |
第3元素としてRhを添加したCoPtRh合金薄膜の原子層積層構造の成膜温度依存性について検討し，原子層組成変調構造の形成度合いを評価する．
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