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本研究は大面積ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル基板の作製を目的とし、異種基板への核形成および配向ダイヤの選択技術の開発を行った。分子を利用した核形成およびバイアスによる核形成を実施した。ダイヤモンド－下地界面の不純物が非配向核の原因であることを明らかにし、高プラズマパワー密度による多量の原子状水素が不純物形成を抑制することで、（１００）ダイヤモンドの配向性を向上できることを見出した。また、（１１１）面方位においては、短時間バイアス処理および酸素添加による高精度界面制御を組み合わせることで配向ダイヤモンドの形成を可能とした。（１００）および（１１１）両方位において高配向ダイヤ薄膜を合成した。
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