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本研究では、Eu添加窒化物半導体による赤色発光デバイスにおいて高い励起効率を得るために、不純物共添加によるEuイオン周辺局所構造制御を目的とした。共添加不純物として、Zn（アクセプタ）とO（ドナー）を同時に添加することで、新たな発光中心が形成されることを見出した。さらに、共添加を効果的に行うための試みとして、成長温度依存性と極性に対する依存性を調べた。また、Eu添加GaNにおいて、Euがバンド構造に形成する欠陥準位をラプラスDLTS法により評価することで、Eu-N空孔-Ga空孔による複合欠陥の形成が示唆された。
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