2015 年度研究成果報告書

希釈ビスマス半導体を用いた光通信帯光源が利用可能なテラヘルツ波発生検出素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号	26820114
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	広島大学
研究代表者	富永依里子広島大学, 先端物質科学研究科, 助教 (40634936)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード	低温成長GaAs系半導体 / 分子線エピタキシャル成長 / X線回折法 / 透過型電子顕微鏡 / ラザフォード後方散乱法 / テラヘルツ電磁波 / 光伝導アンテナ
研究成果の概要	本研究の最終目的は、低温成長希釈ビスマス(Bi)半導体を用いた、光通信帯光源が利用可能なテラヘルツ波発生検出用光伝導アンテナを実現することである。当該研究期間内には、現有の分子線エピタキシャル成長装置に当予算で購入したBiセルを導入し、装置環境を整えると同時に、低温成長希釈Bi半導体の比較対象となる低温成長InGaAsの結晶状態の成長温度依存性を明らかにし、低温成長Bi系半導体の成長条件最適化に向けた指針を得た。
自由記述の分野	電子・電気材料工学