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強誘電体において分極方向が一方向に揃っている領域をドメイン、ドメイン同士の境界をドメイン壁（DW）と呼ぶ。近年、このDWでは導電性の変調や光起電力効果といった特異な物性を呈することが報告され注目されている。このようなデバイスを作製する際にはDWを強誘電体薄膜中の任意の位置に導入する技術が必要となる。本研究において我々は、菱面体晶系強誘電体であるBiFeO3薄膜の結晶成長方向が基板の有するステップ端で制限されることに着目し、基板表面に形成したパターンによりDWの形成制御が可能であることを見出した。
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