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電子材料の開発では、新規材料の導入で、従来素子の高性能化や新たな動作特性の探求がなされている。抵抗変化型メモリの材料として、チタン酸ストロンチウム（STO）が注目され。STOは、シリコンに比べて欠陥が多く、期待していた物性値が得られていないのが現状である。一方で、結晶欠陥が機能に大きく関与しているという報告がある。本研究では、STO中の拡張欠陥が、どのように電気的性質に関与しているかを研究する。電子線誘起電流（EBIC）法によって試料内の転位密度と電気特性を調べ、メモリ作用との関連を明らかにする。更に、電子顕微鏡観察によって転位の性格を決定する。
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