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本研究では、グラフェン中プラズモンを利用した室温動作テラヘルツ波プラズモニックデバイス実現のため、非対称二重格子ゲート構造グラフェントランジスタにおけるプラズモン不安定性を中心として、単層グラフェンにおけるバンド間反転分布形成やグラフェン二重層における共鳴トンネル効果など、デバイス動作原理の理論的検証を行なった。特に非対称二重格子ゲート構造グラフェントランジスタにおいては、Dyakonov-Shur不安定性とRyzhii-Satou-Shur不安定性が同時発現することによって巨大プラズモン不安定性が起こることを明らかにした。
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