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数ドナー原子は輸送特性を制御したナノスケールSiトランジスタを作製した。ノンドープチャネルを有するトランジスタでは、ソース端付近に拡散ドナー原子はパスとして動作する可能性がある。単一電子トンネリング（SET）は、～100Kまで観察することができる。
選択的にドープされたチャネルトランジスタでは、チャネルの中心で強く結合ドナー原子は、支配的な量子ドット（QD）を形成することができる。狭いチャネルデバイスの場合は、SET動作があっても、室温まで観察される。
QDの位置も体系的中心とソース端との間で変更された。高温動作のために最適化された条件は、このように次の段階として同定することができる。
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