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安定金属結晶によるナノ構造体の有無に情報を記憶する恒久保存メモリの基本コンセプトと、そのメモリを多層化する高密度記憶素子構造とその製造プロセス方法を考案した。このナノ構造体形状から記憶情報を読み出す容量検出回路方式と超長期間に渡って安定的な読み出し動作を保証するためのデータ符号化方式を考案した。ナノ構造体と読み出し回路を統合するための電磁界解析と回路解析を組み合わせた統合設計手法を構築し、実証デバイスを製造した。加速試験装置を用いた換算時間千年の長期信頼性試験を実施し、正常なメモリ読み出し動作を確認することで、コンセプトと設計手法の妥当性の実証に成功した。
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