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近年、量子ドット（QD）構造を用いた半導体レーザ（LD）の研究開発が進展し、その高い特性が注目されている。また、光デバイスは単一素子でなく、様々な要素素子を基板上に集積し、高機能・高付加価値化を目指した研究がなされている。本研究では、Intermixingという技術を従来用いられなかった1550nm帯のQD構造に応用する技術を開発し、良好なQD-LD集積素子を実証した。Intermixingの物理現象についても学術的に考察し、そのメカニズムの一端を明らかにした。本研究は従来取られている方法に対し、より簡易で短時間に低コストで素子作製が可能であり、今後さらに実用に寄与することが期待される。
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