研究課題
若手研究(B)
SiCパワーMOSFETにおいて問題となっている高いチャネル抵抗を改善するためには、高チャネル移動度が得られる新規酸化膜形成技術の確立が必要である。本研究では、SiO2/SiC界面へボロンを導入する新規手法を提案し、この手法によると界面欠陥密度を劇的に低減でき、102 cm2/Vsという高い電界効果移動度が得られることを初めて明らかにした。また、異原子による界面特性改善のメカニズムを検討し、異原子導入による界面歪低減が重要であるという材料選択指針を提示した。
半導体工学
