| 研究課題/領域番号 |
26820139
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
平野 拓一 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (60345361)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 等価媒質定数 / 集積回路 / 電磁界解析 / 誘電率 / ダミーメタル / 細線 |
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| 研究実績の概要 |
本研究課題では、集積回路の高速・高精度な電磁界解析に関する研究を行うのが目的である。シリコンCMOSプロセス技術の発展により、ディジタル回路のみならずマイクロ波・ミリ波帯高周波アナログ回路のチップへの集積化が進んでいる。しかし、高度に集積した場合には回路ブロック同士の相互結合や干渉が問題となる。これらの問題は電磁界解析により予測できるが、チップの配線構造が複雑なため、実構造の電磁界解析は現在でも不可能である。本課題では回路ブロック同士の相互結合および干渉を評価するための高速・高精度解析に関する研究を行う。
平成26年度の計画はダミーメタルや配線層などの複雑な構造を一様等価媒質定数で近似するための電磁界シミュレーション技術を確立することであった。大きさ5μm角程度、周期10μm程度のダミーメタルが CMOSチップ内に配置されている場合を想定して、等価媒質定数のシミュレーション解析を行った。実モデルと等価媒質定数モデルを充填した導波路のSパラメータを比較することで、等価媒質定数モデルの有効性および精度を確認した。また、線路などの等価媒質定数モデル化を想定して２次元細線周期構造の等価媒質定数モデルのシミュレーション解析を行い、同様に有効性と精度を確認した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
平成26年度の計画はダミーメタルや配線層などの複雑な構造を一様等価媒質定数で近似するための電磁界シミュレーション技術を確立することであった。大きさ5μm角程度、周期10μm程度のダミーメタルが CMOSチップ内に配置されている場合および幅5μm程度、周期10μm程度の２次元細線周期構造の等価媒質定数モデルのシミュレーション解析を行い、実モデルと等価媒質定数モデルを充填した導波路のSパラメータを比較することで有効性と精度を確認した。おおむね計画通り進展している。
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| 今後の研究の推進方策 |
次年度(H27年度)は、当初計画どおりマイクロ波帯での実験により、今年度シミュレーションで得られた結果を確認する。
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