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本課題では、電気二重層トランジスタにより作り出される強電界を利用し、様々な物質の熱電特性の研究を行った。電界効果を用いて半導体材料の熱電応答を制御し、また優れた熱電特性を有する電子状態を実現することを目標とした。平成26年度は「ゼーベック係数を電気二重層の作る強電界により制御する手法」を確立した。平成27~28年度には、その手法を用いて様々な熱電材料の研究を行った。具体的には、酸化物半導体であるSrTiO3とZnO、遷移金属カルコゲナイド、そして単層カーボンナノチューブの測定を行った。本研究から得られた成果は、電界を用いた新規熱電物質探索や次世代デバイスへの応用等、多方面への展開が期待される。
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