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高品質4H-SiCの溶液成長の実現に向け、Fe-SiおよびSi-Cr溶媒を用いた溶液成長界面のIn-situ観察を1673～1880Kにて実施した。異種ポリタイプである3C-SiCの発生頻度を調査した結果、温度の上昇に伴い急激に3Cの発生頻度が減少し、4Hの継続成長における温度制御の重要性がわかった。また、スパイラル成長と競合するステップの高さ解析より、スパイラル中心を通過する際のステップの高さ制御が成長モードの決定において重要であることが明らかになった。
また、ファンデルワールス力を考慮した第一原理計算により3Cが最安定ポリタイプであることが予測され、実験による低温での安定性の傾向と一致した。
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