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誘電－磁歪型マルチフェロイック素子の無給電磁界センサ/振動磁界エネルギーハーベスタとしての出力特性を引き上げることを目的に、磁歪層の磁歪増加と肉厚化、ならびにデバイスとしての構成最適化研究を行った。
磁界応答性が良く、比較的高い磁歪、高いアモルファス形成能を有する鉄系アモルファス合金Fe-Si-B-Pを磁歪層として選択し、アモルファス単相からなる170μm厚の長尺薄帯の作製に成功、磁歪層の肉厚化で素子の出力が増加することを確認した。また、磁歪層を熱処理することで表面近傍だけ部分結晶化させた際、素子動作方向の磁歪量が増加することを利用し、素子の出力向上を確認した。
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