圧電素子と磁気抵抗変化素子の融合による超低消費電力磁化反転技術の創出

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26870192
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: ナノ構造物理; 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 高村 陽太 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教 (20708482)
• 研究協力者: 中川 茂樹 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 教授 (60180246) ; 菅原 聡 東京工業大学, 像情報工学研究所, 准教授 (40282842) ; 舟窪 浩 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 教授 (90219080) ; 黒沢 実 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 准教授 (70170090) ; 山本 修一郎 東京工業大学, 像情報工学研究所, 特任講師 (50313375) ; 周藤 悠介 東京工業大学, 像情報工学研究所, 特任助教 (80523670)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: 逆磁歪効果 / 磁気抵抗変化素子 / スピントランスファートルク / ＭＲＡＭ

研究成果の概要

次世代の不揮発性メモリ素子として有望な磁気抵抗変化素子に磁歪効果が大きなフリー層を導入し，さらに圧電体を融合した集積化可能なデバイスを提案し，シミュレーションにより磁化反転電流を従来の10分の1，その際の消費エネルギーを400分の1に低減できることを示した．さらに，磁歪効果が大きなSmFe2薄膜をスパッタ法により作製し，薄膜において-100ppm程度の逆磁歪効果が得られることを明らかにした．

自由記述の分野

スピントロニクス