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酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の半導体層であるInGaZnO4(IGZO)の格子欠陥を明らかにするため、電子スピン共鳴法(ESR)により調査した。
IGZO粉末にプラズマによって導入される格子欠陥を評価したところ、2種類のESR信号を見出した。これらのESR中心は、信号の熱安定性などの評価から、IGZOの主成分であるGa2O3、In2O3、ZnO中のESR信号とは異なる特性を示すことが明らかになった。これらIGZO中の格子欠陥の形成メカニズムを2種類提案した。
また、ストレス耐性の高い新規レアメタルフリー材料の提案を行い、スパッタリング法、ミストCVD法による薄膜を用いたTFTの形成に成功した。
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