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本研究では、絶縁基板上への結晶半導体薄膜形成温度の低温化（ターゲット温度：１５０℃）を目指し、絶縁膜上におけるＧｅ結晶の低温形成プロセスを創出した。我々は、盛んに研究されている金属誘起形成プロセスに非熱エネルギー（電子線、応力）を組み合わせたところ、絶縁基板上の非晶質Ｇｅの結晶成長が大幅に促進すること、特に、応力を組み合わせることで１５０℃以下の低温で結晶成長が誘起されるとの手法を開発した。また、絶縁基板上に面方位の揃った結晶Ｇｅの形成にも試み、（１１１)に優先配向した結晶Ｇｅ薄膜を絶縁基板上に形成することに成功した。
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