|
本研究では一般的な圧電体材料の一つである窒化アルミニウム（AlN）にスカンジウムを転換することで発電性能を向上させた新規の圧電体であるScAlNの加工方法について検討した。アルカリ性の混酸でウェットエッチング条件を確立した。低周波で振動可能な振動発電デバイスの構造を考慮し、表面にSiO2膜が形成されたSOI基板のデバイス層に設計したパターンのデバイスを作製した。圧電体にはScAlNを、圧電体の下部電極と上部電極にはCr/Au/Crをスパッタリングにより積層した。また、生体の活動で発生する振動を調査するために、人が運動した際の頭部の振動数を評価した。
|
