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次世代の情報通信技術の基盤構築を目的とし、格子定数6.1ÅのIII-V族化合物半導体材料を利用した相補型高電子移動度トランジスタの開発研究を行った。
格子不整合の結晶成長において発生・伝搬し、特性悪化の要因となる積層欠陥の大幅な抑制を実現した。同一基板上でn-、p-型動作可能なデバイス構造をシミュレーションにより検証し、電子・ホール走行層を含む量子井戸構造の成長条件を確立、選択エッチング技術により電気特性を評価した。TLM法によりオーミック電極材料の検討し、簡易デバイスを作製、トランジスタ静特性評価を行った。今後、コンタクト抵抗・リーク電流低減の課題を解決し、相補型回路の試作を展開する。
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