2015 年度研究成果報告書

共ドープシリコンナノ結晶を用いた単電子デバイスの研究

研究課題

研究課題/領域番号	26886008
研究種目	研究活動スタート支援
配分区分	補助金
研究分野	ナノ構造物理
研究機関	神戸大学
研究代表者	加納伸也神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (20734198)
研究期間 (年度)	2014-08-29 – 2016-03-31
キーワード	単電子トランジスタ / シリコンナノ結晶 / ボトムアップ / ナノギャップ / クーロンブロッケード
研究成果の概要	無機物のみで構成された共ドープシリコンナノ結晶を単電子島とした単電子素子を形成することが、本研究の目的である。自己組織化単分子膜を介して、平均粒子径が7 nmの共ドープシリコンナノ結晶と金ナノギャップ電極を組み合わせ、単電子トランジスタを作製した。作製した素子は、9 Kにおいてクーロンダイアモンド特性を示した。クーロンダイアモンド特性から複数のナノ結晶が電気伝導に寄与していることが示唆される。
自由記述の分野	ナノデバイス