| 研究成果の概要 |
本研究では電圧駆動型MRAMの書込み原理である電圧誘起磁化反転の低電圧化を目的に研究を行った。まず垂直磁化型トンネル磁気接合素子において、フリー層のFeB層をTa,W,Irの異なる材料でキャップした場合の垂直磁気異方性、及び電圧効果を調べ、Ta,Wキャップ層は垂直磁化となることが分かった。またパルス電圧による磁化反転の反転確率を調べ、低電圧化には垂直磁気異方性を小さくすることがカギであることが分かった。一方で、垂直磁気異方性が小さいと熱擾乱耐性が悪くなってしまうという課題も見つかった。シミュレーション計算を行う事で、低電圧化に向けた指針も得ることができた。
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