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f電子系人工超格子のゼーベック・ネルンスト係数を低温・高磁場で測定可能なシステムの開発に取り組んだ。具体的にはまず、テスト用として幅広い温度領域で物性測定を行うことができるプローブの作製を行った。既存のDewarに12 Tの超伝導マグネットを取り付けて、高磁場で物性測定を行うことができるようにシステムの改造にも取り組んだ。また、10 mm × 5 mmのMgF2基板上に成長させた薄膜試料でもゼーベック・ネルンスト係数を測定できるセルの開発を行った。今後はこれらを組み合わせてゼーベック・ネルンスト係数の測定システムのテストを行い、さらにf電子系人工超格子の研究にも移っていく予定である。
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