SOIを用いた電力・遅延オーバヘッドの少ない耐ソフトエラーフリップフロップの提案

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26889037
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 京都工芸繊維大学
• 研究代表者: 古田 潤 京都工芸繊維大学, グリーンイノベーションセンター, 特任助教 (30735767)
• 研究期間 (年度): 2014-08-29 – 2016-03-31
• キーワード: ソフトエラー / 中性子 / 重イオン / フリップフロップ / FD-SOI

研究成果の概要

65nmのFD-SOIプロセスを用いて設計した非冗長フリップフロップの放射線起因のエラーの測定を中性子を照射する加速試験により行った。提案回路であるSLCCFFは通常のFFよりも耐性が高く、特に0.4Vと低い動作電圧では約30倍のソフトエラー耐性を持つことを確認した。この値は従来の放射線耐性回路であるstacked FFと等しい値である。SLCCFFは動作速度の点で従来回路よりも優れている。

自由記述の分野

ソフトエラー