光励起下におけるInAs量子ドット層の面内伝導特性の解明と光伝導アンテナへの応用

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26889043
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 徳島大学
• 研究代表者: 熊谷 直人 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 特任講師 (40732152)
• 研究協力者: 井須 俊郎 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 特任教授 (00379546) ; 北田 貴弘 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 特任准教授 (90283738) ; 盧 翔孟 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 特任助教 (80708800) ; 村雲 圭祐 徳島大学, 大学院先端技術科学教育部, 修士課程
• 研究期間 (年度): 2014-08-29 – 2016-03-31
• キーワード: 量子ドット / 光伝導アンテナ / テラヘルツ

研究成果の概要

ピコ秒オーダーの超高速なキャリア緩和を持つInAs量子ドットのテラヘルツ波検出光伝導アンテナへの応用を検討するため、面内光伝導特性の評価を行ったところ、暗電流に比べて明瞭な光電流が確認された。さらに、光伝導アンテナ構造の作製を行い、同構造に対して、光伝導アンテナ動作に用いる波長1.5ミクロンのフェムト秒パルスレーザ、及びCWレーザによる光励起を行い、その光電流を励起強度のピークパワー密度依存性で評価した。その結果、6桁もの広い励起ピークパワー密度領域で線形な光電流の増加を確認でき、このInAs量子ドットが光伝導アンテナへの応用に強く期待できることを示した。

自由記述の分野

半導体結晶工学