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シリコンフォトニクスを用いた次世代オンチップ光配線において、CMOS後工程で形成可能な水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)をベースとする多層光配線技術が有望視されている。本研究では、多層偏波多重システム及び偏波ダイバーシティシステムに向けた層間偏波ビームスプリッタの開発、及び層間光スイッチへの応用検討を行った。異なる断面寸法を有するシンプルな多層シリコン細線方向性結合器において、広帯域、低挿入損失、低クロストークの層間偏波ビームスプリッタを提案設計した。さらに、構造誤差に対する特性評価を行い、本デバイスは十分実現可能であることを示した。
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