| 研究概要 |
昭和60年度は研究計画に治って「電子ビーム励起X線全反射分光法による新しい表面原子構造の解析法」の研究を行なった。この研究には(1)超高真空槽(電子ビーム励起X線全反射角分光装置)、(2)試料準備構造測定装置、(3)エネルギー分散型X線分析装置などを必要とする。(1)については電子線の入射方向を変えるために真空中で電子銃を自由に回転させることのできる構造にした。(2)はVG社製の光電子分光装置において、本体及び試料準備室にRHEEDが取付けられるように改造し、試料ホルダーはX線光電子回折を行ない易いように設計した。(3)は、測定の感度を上げるために、検出管を特別に長く設計した。これらの装置の設計や発釈は順調に行なわれたが、いずれも複雑な装置であり、その製作に長期間を要し、納入は60年度末になる予定である。本研究のように新しい方法とその装置の開発的要素の強い研究では、新しい装置によるデータを年度内に出すのは難しく、本格的な成果は61年度に出ると予想される。
そこで本年度は我々が従来開発してきた装置により研究を推進させた。例えばSi(111)表面にAu,Ga,Al,Mg,Geなどを吸着させたときに生ずる様々な表面超構造やその相転移をRHEEDにより研究した。Si(111)表面にAu,Gaを吸着させたときに生ずる5×2-Au,α-【√!3】×【√!3】-Au,β-【√!3】>【√!3】-Au,【√!3】×【√!3】-Gaなどの構造についてはシンクロトロン放射X線を用いて光電子回折の実験を行なった。このデータを解析し【√!3】×【√!3】-Gaについては新しい原子配列構造模型を提晶した。また電子線のエネルギーを変えたり、入射角を変えてもビームが常に試料の同一点を照射することのできる新型の電子銃の設計及び製作を行なった。更にイオンビーム散乱装置を作成し、イオンビーム励起オージェ電子分光により、Si(111)表面上の7×7、【√!3】×【√!3】-Al【√!7】×【√!7】-Al構造などの研究を行なった。
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