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Siを選択ドープしたGax【Al_(1-x)】As/GaAs/Gax【Al_(1-x)】Asのヘテロ接合および単一量子井戸構造を作成し、GaAs層中の2次元電子(2DEG)の高電界電子輸送(ホット・エレクトロン)特性と接合界面状態の測定を行ない、その結果に本年度購入のパーソナルコンピュータを用いた理論的検討およびシミュレーション解析を加えることによって、一応の成果を得た。
すなわち、厚さの異なるGaAs層中の2次元電子の電界下でのシュブニコフ・ド・ハース効果の測定を低温で行ない、パーソナルコンピュータによるフーリェ解析で電子準位を決定すると共にシュブニコフ・ド・ハース効果の振幅から電子温度と電界の関係を求めた。
これらの特性が界面の影響を受けることが明らかになったので、本年度購入のインピーダンスアナライザを用いた容量-電圧特性の実測を行ない、GaAlAs層中のSi分布が影響することが明らかになった。さらに、フォト・ルミネッセンスの測定から電子のエネルギー分布や電子-格子相互作用に関する知見を得た。
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